Раздел обозначает тему доклада, объясняет место однопереходного транзистора среди полупроводниковых приборов и формулирует основные вопросы исследования. Здесь кратко раскрываются актуальность изучения структуры и характеристик прибора, цель, задачи, используемые источники и общий подход к теоретическому анализу и практической проверке.

В пункте описывается физическое строение прибора: базовый брусок кремния n-типа, эмиттерная область p-типа и омические контакты B1 и B2. Объясняется назначение каждого вывода, формирование единственного p–n-перехода, понятия межбазового сопротивления и коэффициента внутреннего сопротивления, а также приводится условное графическое обозначение.

Раздел последовательно показывает работу прибора при подаче напряжения между базами и изменении напряжения на эмиттере. Рассматриваются распределение потенциала в базовом бруске, достижение напряжения пикового включения, инжекция носителей заряда, уменьшение сопротивления около эмиттера и переход к проводящему состоянию.

Здесь раскрываются параметры, необходимые для оценки режима работы: межбазовое напряжение, сопротивление между базами, коэффициент η, пиковое и долинное напряжения, пиковый и долинный токи, а также допустимые токовые и мощностные ограничения. Приводятся обозначения величин, единицы измерения и базовые расчётные зависимости.

Пункт посвящён анализу зависимости напряжения от эмиттерного тока при различных режимах смещения. Описываются участки отсечки, отрицательного дифференциального сопротивления и насыщения, объясняется положение пиковых и долинных точек, а также показывается, как по графику определить устойчивые и переключательные режимы однопереходного транзистора.

В разделе рассматриваются типовые способы применения прибора в импульсной технике. Основное внимание уделяется релаксационному генератору, где конденсатор заряжается через резистор и разряжается при открывании транзистора; дополнительно объясняется использование импульса для запуска тиристора и управления простыми электронными узлами.

Пункт описывает безопасный порядок практической проверки: выбор справочных параметров, расчёт напряжения пикового включения, подбор сопротивления и ёмкости времязадающей цепи, сборку модели в симуляторе и фиксацию результатов. Отдельно указываются требования к полярности, ограничению тока и недопустимости превышения паспортных значений.

Здесь приводятся правила представления полученных данных в таблицах, схемах и графиках, порядок сравнения расчётных и справочных значений, а также способы указания единиц измерения и погрешностей. Раздел включает рекомендации по структуре текста, нумерации рисунков, ссылкам и библиографическому описанию источников в учебном документе.

В заключительном разделе обобщаются сведения о строении и принципе действия однопереходного транзистора, выделяется связь между инжекцией носителей и отрицательным дифференциальным сопротивлением. Формулируются результаты расчёта или моделирования, оценивается практическая применимость прибора и указываются ограничения, которые необходимо учитывать при выборе режима.

Раздел содержит перечень использованных учебников, справочников, нормативных документов и технической документации на однопереходные транзисторы. Источники располагаются и оформляются единообразно: для каждого указываются автор или организация, название, сведения об издании, год публикации либо адрес электронной страницы и дата обращения.