В этом пункте объясняется, почему свойства полупроводников важно изучать через поведение электронов в твёрдом теле. Формулируются проблема, цель и задачи проекта, обозначаются объект и предмет исследования, а также описываются предполагаемый продукт и способы получения информации. Введение задаёт границы темы и помогает связать теоретическую часть с созданием наглядной модели.

Раздел вводит понятие энергетического уровня и объясняет, почему в кристалле множество близко расположенных уровней образует энергетические зоны. Рассматриваются валентные электроны, связь между атомами и влияние кристаллической структуры на доступные электрону состояния. Эти сведения необходимы, чтобы перейти от модели отдельных атомов к объяснению свойств всего материала.

Здесь раскрываются функции трёх основных частей зонной схемы и объясняется, какие состояния занимают электроны в разных условиях. Отдельно рассматривается запрещённая зона как энергетический промежуток, который электрон должен преодолеть для перехода в проводящее состояние. Раздел подготавливает основу для сравнения материалов и объяснения электрического тока в полупроводнике.

В пункте сопоставляются зонные схемы трёх классов материалов и связь этих схем с возможностью переноса заряда. Объясняется, почему у проводников есть доступные состояния для движения электронов, а у полупроводников и диэлектриков переход через запрещённую зону требует энергии. Сравнение будет представлено в таблице или на общей схеме с конкретными примерами веществ.

Раздел посвящён электронам проводимости и дыркам, которые возникают при переходах электронов между зонами. Описывается собственная проводимость чистого полупроводника и объясняется, как движение носителей связано с электрическим током. Также рассматривается роль температуры и света: оба воздействия могут увеличить число электронно-дырочных пар и изменить проводимость материала.

В этом пункте рассматривается, как введение небольшого количества примесных атомов меняет электрические свойства кристалла. На примерах фосфора и бора в кремнии объясняются донорные и акцепторные примеси, а также различия между полупроводниками n-типа и p-типа. Раздел связывает зонную теорию с управляемым изменением концентрации носителей, используемым при изготовлении приборов.

Практическая часть описывает создание схем, показывающих валентную зону, зону проводимости и запрещённую зону для разных материалов. На модели обозначаются возможные переходы электронов, появление дырок и различия между чистым и легированным полупроводником. В пункте фиксируются используемые материалы или цифровые инструменты и поясняется, как сделать визуализацию физически корректной и понятной аудитории.

В разделе рассматривается, как представления о зонах помогают объяснить работу полупроводниковых приборов. В качестве примеров описываются p–n-переход в диоде, преобразование энергии света в солнечном элементе и излучение светодиода при рекомбинации носителей. Для каждого примера указывается связь между свойствами материала, движением заряда и практической функцией устройства.

В заключении кратко обобщаются установленные связи между шириной запрещённой зоны, числом носителей заряда и проводимостью материала. Отмечается, какие особенности полупроводников удалось показать с помощью модели и примеров приборов. Также оценивается, насколько выполнены поставленные задачи, и указываются возможные ограничения схемы, например её упрощённое изображение сложной структуры кристалла.

В этом разделе приводятся учебники по физике, справочные издания и надёжные электронные источники, использованные при подготовке теоретического материала и практической модели. Для каждой позиции указываются автор или организация, название, год издания либо дата обращения и ссылка, если источник размещён в интернете. Список позволяет проверить определения, числовые значения и объяснения физических механизмов.