Раздел объясняет, почему полупроводники стали основой современной электроники и почему их свойства важно изучать в школьном курсе физики. Здесь формулируются проблема, цель и задачи проекта, обозначаются методы работы с литературой, схемами и экспериментом, а также кратко описывается практическая значимость выбранной темы.

В пункте рассматриваются особенности полупроводников как класса веществ, их отличие от металлов и диэлектриков, строение кристаллической решётки кремния и германия. Объясняется роль температуры, освещения и внешнего электрического поля в изменении числа носителей заряда, приводятся понятия электронов проводимости и дырок.

Раздел посвящён механизмам собственной проводимости чистого полупроводника и примесной проводимости легированного материала. На понятных схемах раскрывается, как донорные примеси формируют n-тип, акцепторные примеси — p-тип, а также почему концентрация и подвижность носителей определяют электрические свойства вещества.

Здесь описывается контакт областей p- и n-типа, диффузия носителей и образование обеднённого слоя с внутренним электрическим полем. Объясняется зависимость тока от направления внешнего напряжения, после чего рассматриваются выпрямляющее действие диода, условное обозначение прибора и его использование в электрических цепях.

Пункт знакомит с устройством транзистора как прибора с тремя полупроводниковыми областями и тремя выводами. Рассматривается управление большим током с помощью малого входного сигнала, различие режимов работы и значение транзисторов для усилителей, переключателей, генераторов и логических элементов.

В разделе приводится план безопасного эксперимента со светодиодом или обычным диодом, батарейным источником питания и ограничительным резистором. Описываются схема подключения, порядок изменения полярности, наблюдаемые результаты и измерения мультиметром, позволяющие подтвердить одностороннюю проводимость p-n-перехода.

Пункт систематизирует практические области использования полупроводников: выпрямители, стабилитроны, транзисторы, светодиоды, фотодиоды, солнечные элементы, датчики и микропроцессоры. Для каждого примера кратко объясняется физический принцип действия и показывается, какую функцию прибор выполняет в бытовой, промышленной или цифровой технике.

В разделе сопоставляются результаты практической демонстрации с теоретической моделью движения носителей заряда и работы p-n-перехода. Отдельно фиксируются возможные источники погрешности, ограничения школьного опыта и правила безопасности: использование низкого напряжения, правильная полярность, ограничение тока и контроль нагрева элементов.

Заключительный пункт обобщает установленные связи между строением полупроводников, примесной проводимостью, образованием p-n-перехода и работой электронных приборов. Здесь формулируются основные результаты изучения и показывается, как простая физическая модель объясняет применение диодов, транзисторов, светодиодов и солнечных элементов в современной технике.

В список включаются школьные учебники физики, справочные издания, материалы образовательных организаций и проверенные электронные ресурсы о полупроводниках и электронике. Источники оформляются единообразно: указываются автор, название, издательство или адрес ресурса, год публикации и дата обращения для интернет-материалов.