В разделе объясняется, почему численное описание диода и транзистора полезно для изучения полупроводниковой электроники. Формулируются проблема, цель, задачи и ожидаемый результат проекта, обозначаются границы рассматриваемых моделей. Кратко описывается связь между физикой p–n-перехода, математическими уравнениями и компьютерным расчётом характеристик приборов.

Пункт посвящён строению полупроводников, носителям заряда и формированию p–n-перехода. Рассматриваются диффузионный и дрейфовый токи, область пространственного заряда, потенциальный барьер и влияние внешнего напряжения. Отдельно объясняется устройство биполярного транзистора, назначение эмиттера, базы и коллектора, а также различия основных режимов работы.

В разделе вводится идеализированное уравнение диода и раскрывается смысл входящих в него величин: тока насыщения, напряжения, температуры и коэффициента идеальности. Поясняется, почему характеристика имеет нелинейный вид и чем отличаются прямая и обратная ветви. Также рассматриваются допущения модели и причины расхождения расчёта с характеристиками реального компонента.

Пункт описывает движение носителей заряда в биполярном транзисторе и принцип управления током коллектора током базы. Последовательно характеризуются режимы отсечки, активный, насыщения и обратный активный. Для каждого режима указываются состояния эмиттерного и коллекторного переходов, направления токов и практическое значение при работе транзистора в усилительных и ключевых схемах.

Здесь рассматривается базовая математическая модель биполярного транзистора, построенная на представлении его как системы двух взаимосвязанных p–n-переходов. Объясняется, как прямые и обратные токи переходов формируют токи эмиттера, базы и коллектора. Приводятся обозначения параметров, условия применимости и связь уравнений модели с физическими процессами переноса носителей.

В разделе описывается последовательность вычислений: выбор параметров прибора, задание диапазона напряжений, подстановка величин в уравнения и сохранение результатов. Уточняются единицы измерения, температурные условия и правила обработки экспоненциальных выражений. Также приводится логика построения таблиц и графиков, позволяющих сравнить диодную характеристику и режимы транзистора.

Пункт содержит результаты расчёта в виде таблиц и графиков вольт-амперных характеристик. Анализируется изменение токов при варьировании напряжений и параметров модели, отмечаются границы режимов транзистора. Полученные зависимости сопоставляются с теоретическими ожиданиями, после чего обсуждаются источники возможной погрешности и отличия базовой модели от реального полупроводникового прибора.

В заключении обобщаются результаты изучения численных моделей диода и транзистора. Формулируется, насколько успешно уравнения диода и метод Эберса—Молла описывают основные режимы и характер изменения токов. Отмечаются практическая ценность созданного расчёта, ограничения использованных допущений и возможные направления продолжения работы, включая учёт температуры и дополнительных эффектов.

В списке литературы приводятся учебники по общей физике, физике полупроводников, электронике и теории электрических цепей. Отдельно указываются источники с описанием уравнения диода, модели Эберса—Молла и принципов SPICE-моделирования. Для электронных ресурсов рекомендуется записать авторов, название, адрес страницы и дату обращения, чтобы обеспечить проверяемость использованных сведений.