В пункте объясняется, почему температурные свойства полупроводников представляют интерес для физики и техники. Формулируются проблема, цель, гипотеза и основные задачи проекта, обозначаются объект и предмет исследования. Также кратко описываются предполагаемый эксперимент, способ представления результатов и практическая ценность изучения терморезисторов.

Раздел посвящён строению кристаллических полупроводников, ковалентным связям и энергетическим уровням. Объясняется различие между валентной зоной, зоной проводимости и запрещённой зоной, а также вводятся понятия электронов и дырок. Отдельно рассматривается влияние примесей на проводимость и образование полупроводников n- и p-типа.

В этом пункте раскрывается механизм изменения сопротивления полупроводника при нагревании и охлаждении. Показывается, как температура влияет на концентрацию и подвижность носителей заряда, почему проводимость обычно возрастает и чем такая зависимость отличается от металлической. Рассматриваются NTC- и PTC-терморезисторы, их условные характеристики и области применения.

Раздел описывает последовательность исследования сопротивления терморезистора при разных температурах. Указываются контролируемые величины, диапазон измерений, порядок подключения мультиметра и правила выдержки образца до установления теплового равновесия. Также объясняется, как обеспечить сопоставимость результатов при нагревании и последующем охлаждении.

В пункте перечисляются терморезистор, мультиметр, термометр, источник тепла, ёмкость с водой, соединительные провода и средства фиксации результатов. Описывается назначение каждого прибора и требования к его подготовке. Особое внимание уделяется работе с электрическим током, горячей водой, нагревателем и предотвращению короткого замыкания.

Здесь приводится практический алгоритм выполнения опыта: сборка схемы, проверка начального сопротивления, постепенное изменение температуры и запись показаний. Для каждой точки фиксируются температура и сопротивление, а при возможности выполняются повторные измерения. Результаты заносятся в таблицу, чтобы позднее сравнить их и обнаружить случайные расхождения.

Раздел посвящён обработке экспериментальных данных и их наглядному представлению. Рассматриваются вычисление средних значений, построение графика зависимости сопротивления от температуры и определение направления изменения величины. При необходимости данные сравниваются с теоретической моделью терморезистора, после чего формулируется физическое объяснение формы полученной кривой.

В пункте оценивается достоверность проведённого исследования и перечисляются основные источники погрешности. Анализируются точность мультиметра и термометра, время установления температуры, влияние измерительного тока, качество контактов и неоднородность нагрева. Предлагаются способы повышения точности: повтор измерений, одинаковый шаг температуры и предварительная калибровка приборов.

В заключении обобщаются результаты наблюдений и проверяется исходная гипотеза о характере температурной зависимости сопротивления полупроводника. Формулируется физическое объяснение изменения показаний, указываются соответствия и возможные расхождения с теорией. Также отмечается практическое значение терморезисторов и обозначаются направления дальнейшего исследования.

В разделе приводятся использованные источники, необходимые для проверки теоретических положений и описания экспериментальной методики. В список включаются школьный учебник физики, справочные материалы по полупроводниковым приборам, инструкции к измерительному оборудованию и надёжные образовательные электронные ресурсы. Источники оформляются единообразно и располагаются в понятном для читателя порядке.